佳和試劑-新式氧化鉿研制成功　有望制造下一代光電設備-供應商

【資料簡介】

新式氧化鉿研制成功　有望制造下一代光電設備-供應商

　　據美國物理學家組織網2月7日報道，英國劍橋大學工程系的安德魯·弗洛維特*的研究團隊，研制出一種介電常數更高的新式氧化鉿，有望用于制造下一代更微型的電子設備、光電設備以及更的太陽能電池等。目前，氧化鉿已成為電子工業領域的關鍵材料。

　　氧化鉿等金屬氧化物的應用范圍非常廣泛。正常情況下，它們一般通過噴濺在基座上制造而成。然而，當科學家們試圖通過噴濺制造高質量的電子材料時，卻碰到了一個問題，即很難控制沉積過程的能量情況以及材料的屬性。為此，弗洛維特團隊使用了英國等離子探索有限公司研發的新奇沉積技術——利用高靶濺射(HiTUS)來促進等離子濺射。

　　氧化鉿是一種電絕緣體，能被用于制造光學涂層、電容器以及晶體管等。因為氧化鉿的介電常數(電位移與產生電位移的電場密度之間的比率)比較高，而材料的介電常數越高，其存儲電荷的能力越強，也就是說電容越大，有些公司目前正用氧化鉿替代晶體管中的二氧化硅。

　　氧化鉿可以不同的非晶體結構和多晶體結構的形式出現。但非晶體結構缺少多結晶結構內存在的晶界(一個多晶體內材料內，兩個晶體相遇的點就是晶界)，因此比多晶體結構更好。晶界就像導電通路，不僅會讓電阻率變小，也會導致設備大面積出現導電能力不均的情況，這會導致設備的性能變得不均勻。然而，迄今為止，非晶體氧化鉿的介電常數一直比較低，僅為20左右，而弗洛維特團隊研制出的新式氧化鉿的介電常數則高于30。

　　弗洛維特表示，與其他形式相比，非結晶電介質(包括氧化鉿)的性質更加均勻，而且，沒有晶界也使材料的電阻率更高、光子散射更低。

　　研究人員在室溫下，利用快速沉積過程制造出了新材料，這使其尤其適合用來制造有機電子器件、大容量的半導體等。沒有晶界也使該材料成為制造光學涂層和太陽能設備的理想材料。