中文名稱 | 英文名稱 | 純度 | 產品規格 | CAS編碼 |
脫落酸(合成) | Abscisic Acid (Synthetic) | >98.0%(LC)(T) | 200MG | 14375-45-2 |
鈀膜
通常由鈀合金軋制而成,可制成膜片(稱鈀膜)和膜管(稱鈀管)。膜厚通常為50~100微米。主要用于氫氣的純化,其原理是溶解——擴散模式,擴散的驅動力為膜兩側的氫分壓差。在300—500 ℃下,將原料氫加壓通入膜的一側時,氫分子首先在膜表面化學吸附并解離成氫原子,后者溶解于鈀合金中形成氫化物,體積很小的氫原子位于鈀合金晶格的間隙,可以自由移動。在濃度梯度的驅動下,氫原子擴散到膜的另一側并析出,重新結合成氫分子后脫附。除氫氣及其同位素之外,其它任何氣體均不能透過鈀膜,故可利用鈀膜獲得超高純氫。氫透過鈀膜的速率與溫度、膜厚及膜兩側的氫分壓差△P有關。升高溫度,增大△P及減小膜厚,都會使透氫率增加。但溫度過高,會增加能耗并降低膜的物理強度。因此,溫度通常控制在400℃左右。某些雜質可導致膜中毒,降低膜的透氫性能,甚至使膜遭到破壞。能引起鈀中毒的物質有:汞、砷化物、鹵化物、油蒸氣、含硫和含氨物質以及粉塵等。鈀合金可制成管狀(稱為鈀管)或膜片(稱鈀膜)。
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產品名稱 | 純度 | 產品規格 | CAS編碼 |
雙(3-氨基苯基)砜/Bis(3-aminophenyl) Sulfone | >98.0%(T) | 25G | 599-61-1 |
500G | |||
雙(4-氨苯基)砜/Bis(4-aminophenyl) Sulfone | >97.0%(T) | 25G | 80-08-0 |
500G | |||
1,3-雙(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷[硅改性聚酰胺用單體]/1,3-Bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane [Monomer for silicon modified polyamides] | >80.0%(GC) | 5G | 2469-55-8 |
25G | |||
2,5-二氨基-1,4-苯二硫酚二鹽酸鹽/2,5-Diami,4-benzenedithiol Dihydrochloride | >97.0%(LC) | 5G | 75464-52-7 |
25G | |||
3,3'-二氨基聯苯胺/3,3'-Diaminobenzidine | >98.0%(LC) | 5G | 91-95-2 |
25G | |||
4,4'-二氨基-3,3'-二甲基二苯甲烷/4,4'-Diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane | >95.0%(T) | 25G | 838-88-0 |
3,4'-二氨基二苯醚/3,4'-Diaminodiphenyl Ether | >97.0%(GC) | 5G | 2657-87-6 |
25G | |||
4,4'-二氨基二苯醚/4,4'-Diaminodiphenyl Ether | >98.0%(GC) | 25G | 101-80-4 |
500G | |||
3,3'-二氨基二苯甲烷/3,3'-Diaminodiphenylmethane | >98.0%(T) | 1G | 19471-12-6 |
5G | |||
3,4'-二氨基二苯基甲烷/3,4'-Diaminodiphenylmethane | >98.0%(GC) | 1G | 19430-83-2 |
5G | |||
25G |