四探針測試儀/ 四探針電阻率檢測儀型號(hào)：BT-300H

四探針測試儀是根據(jù)四探針測試原理研究成功的多用途的綜合測量裝置，它可以測量棒狀、塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散層的薄層電阻進(jìn)行測量，可以從10-6--105Ω—cm全量程范圍檢測硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電阻，是硅材料質(zhì)量監(jiān)測的必需儀器。
儀器主要技術(shù)指標(biāo)：
1．   范圍：電阻率10-4—103Ω—cm，可擴(kuò)展至105Ω—cm，
    分辯率為10-6Ω—cm
         方塊電阻10-3—103Ω /電阻10-6—105Ω
2．  可測半導(dǎo)體尺寸：直徑Φ15—150mm
3．  測量方式：軸向、斷面均可（手動(dòng)測試架）
4．  數(shù)字電壓表（1）量程0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V 
  (2)測量誤差 0.2mV檔±（0.3%讀數(shù)+8字）
              2 mV檔以上±（0.3%讀數(shù)+2字）
  (3)輸入阻抗0.2mV、2mV擋105Ω
              20mV檔以上>108Ω
5．  恒流源：（1）電流輸出：直流電流0—100mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給
   （2）量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 五檔
   （3）電流誤差：±（0.3%讀數(shù)+2字）
6．四探針測試探頭  （1）探頭間距：1mm   (2)探針機(jī)械游率：±0.3% 
                   (3) 探針：Φ0.5mm    

四探針電阻率檢測儀/四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀  型號(hào)：TD-SB100A/3

由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針法原理來實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn)，對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
TD-SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀是由SB118/1型精密電壓電流源以及SB120/2四探針樣品平臺(tái)二臺(tái)儀器構(gòu)成。
l            SB118型精密直流電壓電流源 （詳見該產(chǎn)品使用說明書）
直流電流源
a)        電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V；
b)        量程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
c)        電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
a)        電壓輸出范圍：5μV~50V，負(fù)載電流不小于10mA（20mV以上）；
b)        量程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào)；
c)        電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
數(shù)字電壓表（4½LED）利用電壓源部分“取樣”端可對(duì)被測電壓進(jìn)行測試
a)        測量量程   20mV，200mV，2V，20V，200V
b)        zui高分辨力  可達(dá)1µV
c)        基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS   （20±2ºC）
l            SB120/2四探針樣品平臺(tái)（詳見該產(chǎn)品使用說明書）
為被測薄膜樣品，利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。

公司名稱：北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司
聯(lián) 系 人：蘇
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:     2495283342
地    址：北京市通州區(qū)新華北街117號(hào)
網(wǎng)    站：www.5117sel.com