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依客思LED防爆燈原理及特性

時間:2015-4-16閱讀:1929
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LED原理及特性

發光原理

發光二管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的,其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性,即正向導通,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發光特性。在正向電壓下,電子由N區注入P區,空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子(少子)一部分與多數載流子(多子)復合而發光,如圖1所示。

假設發光是在P區中發生的,那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光,或者先被發光中心捕獲后,再與空穴復合發光。除了這種發光復合外,還有些電子被非發光中心(這個中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲,而后再與空穴復合,每次釋放的能量不大,不能形成可見光。發光的復合量相對于非發光復合量的比例越大,光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發光的,所以光僅在靠近PN結面數μm以內產生。

理論和實踐證明,光的峰值波長λ與發光區域的半導體材料禁帶寬度Eg有關,即

λ≈1240/Eg(mm)

式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產生可見光(波長在380nm紫光~780nm紅光),半導體材料的Eg應在3.26~1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。使用不普遍。

?特性

(1)允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值,LED發熱、損壞。

(2)大正向直流電流IFm:允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二管。

(3)大反向電壓VRm:所允許加的大反向電壓。超過此值,發光二管可能被擊穿損壞。

(4)工作環境topm:發光二管可正常工作的環境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍,發光二管將不能正常工作,效率大大降低。

(5)打開電源時,不會產生火花,從而在危險空間不會因火花而發生爆炸的可能,達到防爆的效果,所以叫防爆手電。

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