高密度等離子體

SI 500 D具有優異的等離子體特性，如高密度，低離子能量和低壓等離子沉積介質膜。

平行板ICP等離子體源

SENTECH的平行板三螺旋天線(PTSA)ICP等離子體源實現了低功率耦合。

優異的沉積性能

低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態密度，使得所沉積的薄膜具有優異的性能。

動態溫度控制

動態溫度控制結合氦氣背冷的襯底電極，以及襯底背面溫度傳感在從室溫到+350°C的廣泛溫度范圍內提供了優異穩定工藝條件。

SI 500 D等離子沉積設備代表了等離子體增強化學氣相沉積的前沿技術，如介質膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等離子體源、獨立的反應氣體進氣口、動態溫度控制襯底電極、全自動控制的真空系統、采用遠程現場總線技術的先進SENTECH控制軟件，以及操作SI 500 D的用戶友好的通用用戶界面。

SI 500 D等離子沉積設備可以加工各種各樣的襯底，從直徑高達200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預真空室保證了穩定的工藝條件，并實現在不同工藝之間的便捷切換。

SI 500 D等離子增強沉積設備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通過液態或氣態前驅體，SI 500 D可以為TEOS, SiC,和其它材料的沉積提供解決方案。SI 500 D特別適用于在低溫下在有機材料上沉積保護層和在既定的溫度下無損傷地沉積鈍化膜。

SENTECH提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統，目標是高靈活性或高產量。SI 500 D也可用作多腔系統中的一個工藝模塊。

SI 500 D:

• ICP-PECVD等離子沉積設備

• 帶預真空室

• 適用于200mm的晶片

• 襯底溫度從室溫到350?°C

• 激光終點檢測

• 備選電極偏置