主要配置：

6“，8"光源系統(tǒng)
可支持2“，3"，4“，6"，8“（圓/方片）及碎片光刻
手動(dòng)系統(tǒng)，半自動(dòng)系統(tǒng)
支持電源350-2000 Watt
支持深紫外近紫外波長(zhǎng)（可選項(xiàng)）
支持背后對(duì)準(zhǔn)及MEMS工藝要求
CCD或顯微鏡對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)


主要性能指標(biāo)：
光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity:：
--<±1% over 2" 區(qū)域
--<±2% over 4" 區(qū)域
  --<±3% over 6" 區(qū)域
接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um
接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
支持接近式曝光，特征尺寸CD：
--0.8um 硬接觸
--1um 20um 間距時(shí)
--2um 50um 間距時(shí)
正面對(duì)準(zhǔn)精度 ± 0.5um
背面對(duì)準(zhǔn)精度±1um--±2um（Depends on user）
支持正膠、負(fù)膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um
支持LED優(yōu)異電流控制技術(shù)PSS工藝光刻
支持真空、接近式、接觸式曝光
支持恒定光強(qiáng)或恒定功率模式