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昆山海域科技有限公司
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蔡司Sigma擁有高品質成像和顯微分析功能的FE-SEM，蔡司Sigma系列產品集場發射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術與良好的用戶體驗于一體，助您輕松實現構建成像和分析程序，同時提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質量監測，或研究生物和地質樣本。Sigma可實現高分辨率成像，它采用低電壓，能在1 kV或更低電壓下實現更高的分辨率和對比度。它出色的EDS幾何學設計可執行高級顯微分析，以......
蔡司Sigma
擁有高品質成像和顯微分析功能的FE-SEM
蔡司Sigma系列產品集場發射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術與良好的用戶體驗于一體，助您輕松實現構建成像和分析程序，同時提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質量監測，或研究生物和地質樣本。Sigma可實現高分辨率成像，它采用低電壓，能在1 kV或更低電壓下實現更高的分辨率和對比度。它出色的EDS幾何學設計可執行高級顯微分析，以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數據。
使用Sigma系列，暢游納米分析世界。
Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM，是分析測試平臺的合適之選。
Sigma 560采用的EDS幾何學設計，可提供高通量分析，實現自動原位實驗。
產品優勢
Sigma 360是分析測試平臺的合適之選，直觀的圖像采集
從設置到獲取基于人工智能的結果，均提供專業向導，為您保駕護航，助您探索直觀成像工作流。
可在1 kV和更低電壓下分辨差異，實現更高的分辨率和對比度。
可在條件下執行可變壓力成像，獲得出色的非導體成像結果。
直觀成像工作流為您指引方向
從設置到獲取基于人工智能的結果，每一步都清晰明了
即使您是新手用戶，也能輕松獲得專業結果。Sigma系列獲取圖像迅速，易于學習和使用的工作流可節省培訓時間，簡化從導航到后期處理的每個步驟，讓您如虎添翼。
蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動化可助您完成導航、參數設置和圖像采集等步驟。
接下來，ZEN core便可大顯身手：它配備針對具體任務的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包，它可助您基于機器學習進行圖像分割。
將多模式實驗與Connect Toolkit相結合，或使用Materials應用程序分析顯微結構、晶粒尺寸或涂層厚度
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
增強的分辨率。優化的襯度
光學鏡筒是成像和分析性能的關鍵。Sigma配用蔡司Gemini 1電子光學鏡筒，可對任何樣品提供出色的成像分辨率，尤其是在低電壓條件下。
Sigma 360的低電壓分辨率目前500 V時為1.9 nm。通過大幅度降低色差，1 kV時的分辨率已提升10%以上，可達1.3 nm。
現在成像比以往任何時候都輕松，無論是要求苛刻的樣品，還是在可變壓力（VP）模式下采用背散射探測。
可在條件下執行可變壓力成像，獲得出色的非導體成像結果。
用于分析和成像的NanoVP lite模式
新NanoVP lite模式和新探測器很容易在電壓低于5 kV時，從非導體中輕松獲取高質量數據。
這樣，就可增強成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時間，增強入射電子束流，提高能譜面分布分析速度。
aBSD1（環形背散射電子探測器）或新一代C2D（級聯電流）探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。
對聚苯乙烯樣品進行斷裂，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。Sigma 360，C2D，3 kV，NanoVP lite模式，樣品室壓力60Pa。
Sigma 560高通量分析，原位實驗自動化
對實體樣品進行高效分析：基于SEM的高速和通用分析。
實現原位實驗自動化：無人值守測試的全集成實驗室。
可在低于1 kV的條件下完成要求苛刻的樣品成像：采集完整的樣品信息。
對實體樣品進行高效分析
EDS：通用、高速，助您深入研究
Sigma 560的EDS幾何學設計可提高分析效率。兩個180°徑向相對的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下，也能實現高通量無陰影元素面分布。
樣品室的附加EBSD和WDS端口可進行除EDS外的分析。
不導電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進行分析，并能獲得更強的信號和更高的對比度。
全新的aBSD4探測器可輕松實現表面形貌復雜樣品的圖像采集。
氧化鋁球體，在500 V表面信息敏感條件下高分辨成像，可以看到燒結顆粒的表面梯度，某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560，500 V，Inlens SE。
實現原位實驗自動化
無人值守測試的全集成實驗室
Sigma原位實驗室是一種全集成式解決方案，它可以不依賴操作人員，通過無人值守的自動化工作流進行加熱和拉伸測試。
通過對納米級別的特征進行3D分析進一步擴展您的工作流：執行3D STEM斷層成像或基于人工智能的圖像分割。
新aBSD4可實現實時3D表面建模（3DSM）。
鋼原位加熱和拉伸實驗。同步執行SEM成像和EBSD分析，以深入研究應力應變曲線。
對要求苛刻的樣品能夠輕松成像
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
在1 kV或甚至在500 V時實現信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低千伏分辨率500 V時為1.5 nm。
在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測器
在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品，加速電壓可低至3 kV。
正在研究電子設備的您肯定希望保持清潔的工作環境。使用等離子清洗儀（強烈推薦）和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。
以低電壓成像的碳納米管（CNT）。Sigma 560，500 V，Inlens SE探測器。
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