EVK2-CP/600.71/L/R EPC無液壓站EMG 探測頭

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發生改變。光電探測器在軍事和國民經濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于D彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。

光電探測器能把光信號轉換為電信號。根據器件對輻射響應的方式不同或者說器件工作的機理不同，光電探測器可分為兩大類：一類是光子探測器；另一類是熱探測器。

光電探測器件的應用選擇，實際上是應用時的一些事項或要點。在很多要求不太嚴格的應用中，可采用任何一種光電探測器件。不過在某些情況下，選用某種器件會更合適些。例如，當需要比較大的光敏面積時，可選用真空光電管，因其光譜響應范圍比較寬，故真空光電管普遍應用于分光光度計中。當被測輻射信號微弱、要求響應速度較高時，采用光電倍增管最合適，因為其放大倍數可達10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號超過輸出和放大線路內的噪聲分量，使得對探測器的限制只剩下光陰極電流中的統計變化。因此，在天文學、光譜學、激光測距和閃爍計數等方面，光電倍增管得到廣泛應用。

EMG SV1-10/16/315/6    

EMG SV1-10/32/315/6 

光電探測頭 :EVK2-CP/600.71/L/R  EMG糾偏單元 EPC無液壓站自動對邊設備

高頻交變光測量接收器:LS13 IP54, 0~50℃.

高頻交變光測量接受器:LS14; IP54, 0~50℃.

高頻交流光發射器:LLS675/01

數字式控制單元:ICONXE/AE1054

線性位移傳感器:KLW 300.012

液壓閥臺:HT16.500

液壓伺服閥SV1-10/48/315/6

帶CAN-BUS 20米

供電: 220VAC

信號輸出PROF INET

固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內有較高的量子效率，因而在各種工業控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。

photoconductive detector 利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象。光電導探測器在軍事和國民經濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于D彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。

EMG LS13.01測量光電傳感器

EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器

EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG

LS14.01 EMG 測量光電傳感器

EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG 高頻報警光發射器 LIH2/30/230.01

EMG LID2-800.2C 對中光源發射器

EMG LID2-300.2C 對中光源發射器

EMG LLS 1075 線性光源發射器

EMG LLS 1075/01 線性光源發射器

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband

EMG LLS 875/02 線性光源發射器

EMG LLS 675/01 線性光源發射器

EMG 線性光源發射器 LLS875/01

EMG對中光源發射器 LIE 1075/230/50

EMG LLS 475/01 線性光源發射器

EMG LIC1075/11光源發射器

EMG 對中光源發射器 LIE 1075/230/50

 EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源發射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源發射器

EMG  LIC770/01 光源發射器

EMG LIC1075/01 光源發射器

EMG LIC770/11  CPC高頻光源

EMG LID2-800.32C 對中光源發射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

 伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

1873年，英國W·史密斯發現硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰以后，隨著半導體的發展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面，到二十世紀50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。二十世紀60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。 工作原理和特性 光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發到導帶，從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。