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ADEPT 1010 動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀

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產(chǎn)品型號ADEPT 1010

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更新時間：2023-09-22 10:36:50瀏覽次數(shù)：388次

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產(chǎn)品簡介

動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀（D-SIMS）是使用一次離子束（通常是Cs源）轟擊樣品表面，而產(chǎn)生二次離子，然后用質(zhì)譜分析儀分析二次離子的質(zhì)荷比（m/q），從而得知元素在樣品中的深度分布，是分析半導(dǎo)體摻雜和離子注入的有力的工具。

詳細介紹

優(yōu)勢

● ULVAC-PHI 新設(shè)計的四極桿-二次離子質(zhì)譜儀 ADEPT 1010，在原有的 PHI 6300 和 PHI 6600 的基礎(chǔ)上，改善了離子光學(xué)系統(tǒng)，是在一次離子能量低至 250eV 時，仍保持有效的濺射束流的動態(tài)二次離子質(zhì)譜系統(tǒng)（D-SIMS）。

特點

● 大束流低能量離子槍設(shè)計，提高了深度分辨率

● 高性能離子光學(xué)系統(tǒng)，改善了二次離子傳輸效率，在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度

● 高精度全自動 5 軸樣品操控臺

● 不同方向進入檢測器的二次離子，均可被高靈敏地收集檢測

應(yīng)用實例分析

● 采用一次離子源 Cs 在加速 5kV 束流為 100nA 的條件下，分析 GaAs 中注入的 H，C，O 元素。可以看到 H 檢測限值 7.1 × 10¹⁶atm/cm³，O 檢測限值 4.4 × 10¹⁵atm/cm³，C 檢測限值 2.0 × 10¹⁵atm/cm³。