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光譜橢偏儀 FE-5000/5000S

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更新時間：2022-12-16 18:40:21瀏覽次數：424次

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產品簡介

產品信息特點可在紫外和可見（250至800nm）波長區域中測量橢圓參數可分析納米級多層薄膜的厚度可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜通過可變反射角測量，可詳細分析...

詳細介紹

產品信息

特點

可在紫外和可見（250至800nm）波長區域中測量橢圓參數
可分析納米級多層薄膜的厚度
可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜
通過可變反射角測量，可詳細分析薄膜
通過創建光學常數數據庫和追加菜單注冊功能，增強操作便利性
通過層膜貼合分析的光學常數測量可控制膜厚度/膜質量

測量項目

測量橢圓參數（TANψ，COSΔ）
光學常數（n：折射率，k：消光系數）分析
薄膜厚度分析

用途

半導體晶圓
柵氧化膜，氮化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
光學常數（波長色散）
復合半導體
AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅
FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等
各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜
光學薄膜
TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜
光刻領域
g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n、k評估

原理

包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。

產品規格

型號	FE-5000S	FE-5000
測量樣品	反射測量樣品
樣品尺寸	100x100毫米	200x200毫米
測量方法	旋轉分析儀方法*1
測量膜厚范圍（ND）	0.1納米-
入射（反射）的角度范圍	45至90°	45至90°
入射（反射）的角度驅動方式	自動標志桿驅動方法
入射點直徑*2	關于φ2.0	關于φ1.2sup*3
tanψ測量精度	±0.01以下
cosΔ測量精度	±0.01以下
薄膜厚度的可重復性	0.01％以下*4
測定波長范圍*5	300至800納米	250至800納米
光譜檢測器	多色儀（PDA，CCD）
測量用光源	高穩定性氙燈*6
平臺驅動方式	手動	手動/自動
裝載機兼容	不可	可
尺寸，重量	650（W）×400（D）×560（H）mm 約50公斤	1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7
軟件
分析	最小二乘薄膜分析（折射率模型函數，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等）理論方程分析（體表面nk分析，角度依賴同時分析）

*1可以驅動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸•角度。
*3對應微小點（可選）
*4它是使用VLSI標準SiO2膜（100nm）時的值。
*5可以在此波長范圍內進行選擇。
*6光源因測量波長而異。
*7選擇自動平臺時的值。

測量示例

以梯度模型分析ITO結構[FE-0006]

作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導電性和色調。此時，氧氣狀態和結晶度也發生變化，但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學均勻組成的單層膜。
以下介紹對于這種類型的ITO，通過使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測量斜率。

考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]

當樣品表面存在粗糙度（Roughness）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層”，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。

使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]

有機EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會發生變質和損壞。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]

為了通過擬合最小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數。然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d。在這種情況下，測量不同d的多個樣本，假設nk是相同的，并進行同時分析（多點相同分析），則可以高精度、精確地求出nk和d。