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鎳基合金晶間腐蝕檢測(cè)費(fèi)用

閱讀:28發(fā)布時(shí)間:2024-7-16

  鎳基合金晶間腐蝕檢測(cè)費(fèi)用,現(xiàn)代我們國(guó)家金屬材料使用范圍廣,金屬材料容易被腐蝕,在使用過程中無法避免。那么該如何進(jìn)行金屬腐蝕檢測(cè)呢?
 
  根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
 
  不銹鋼在酸性介質(zhì)中存在嚴(yán)重的晶間腐蝕。特別是在H2SO4或HNO3中加入Cu2 +、Hg2 +、Cr6 +等氧化離子可以增加陰極過程的電流密度。晶間陽極的溶解速度明顯加快。
 
  由于鉻在鐵素體中的遷移速度遠(yuǎn)快于奧氏體不銹鋼,即使在高溫下迅速冷卻,也會(huì)析出碳化物,造成鉻貧區(qū)和晶間腐蝕。而在700 ~ 800℃退火時(shí),亞穩(wěn)相cr23c3轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定相Cr23C6,使鉻分布趨于均勻,消除了晶間腐蝕的傾向。
 
  晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
 
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