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金升陽(yáng)緊跟功率半導(dǎo)體市場(chǎng)動(dòng)向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅(qū)動(dòng)電源），可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)器提供高可靠、高效率的驅(qū)動(dòng)電源方案。

 一、產(chǎn)品介紹

1）高可靠性保障

QA-R3系列驅(qū)動(dòng)電源在變壓器設(shè)計(jì)上采用了*設(shè)計(jì)，通過(guò)增加原副邊爬電距離，使得電氣間隙滿足14.5mm的安規(guī)要求，隔離電容3.5pF，隔離電壓達(dá)到5000VAC（基于EN61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求）；產(chǎn)品采用加強(qiáng)絕緣設(shè)計(jì)，極大提高了可靠性。

 該系列還滿足EN50178/EN61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求，通過(guò)EN62368認(rèn)證（認(rèn)證中），符合UL62368設(shè)計(jì)要求；高可靠的設(shè)計(jì)保證其可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)器提供高可靠的驅(qū)動(dòng)電源方案。

2）效率高達(dá)88%

采用的電路設(shè)計(jì)方案，在電路設(shè)計(jì)上，減小了原副邊漏感的影響，極大地提升產(chǎn)品效率，使得產(chǎn)品效率高達(dá)88%。

3）單路2.4W輸出功率，雙通道輸出，設(shè)計(jì)更靈活

采用雙通道輸出設(shè)計(jì)，單路輸出功率可達(dá)到2.4W，兩通道之間滿足加強(qiáng)絕緣要求（5000VAC隔離），有效降低了客戶的使用成本和占板面積使得客戶設(shè)計(jì)更加靈活。 

二、產(chǎn)品應(yīng)用

QA-R3系列驅(qū)動(dòng)電源依靠高可靠性能，可滿足1700V及以下的常規(guī)IGBT/SiC MOSFET，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋軌道交通，智能電網(wǎng)，風(fēng)力發(fā)電，新能源，電機(jī)傳動(dòng)，充電樁等。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、效率高達(dá)88%

2、隔離電壓高達(dá)5000VAC(加強(qiáng)絕緣)

3、大的容性負(fù)載200uF

4、隔離電容3.5pF typ.

5、工作電壓范圍：-40℃ to +105℃

6、整機(jī)材質(zhì)符合CTI 1類

7、專為1700V IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

8、符合UL62368、EN61800、EN50178標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證要求

9、通過(guò)EN62368認(rèn)證