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日本NGK半導體行業用陶瓷加熱器產品介紹

時間:2025/5/12閱讀:55
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Aln加熱器

它使用氮化鋁(ALN),具有出色的導熱率,并通過將其與電阻加熱元件一起燒結,可以達到的熱均勻性,并且顯著降低了金屬污染的雜質。

特征

高熱均勻性和廣泛的溫度支持

它使用ALN陶瓷,具有出色的導熱率,可實現高溫均勻性。

它也可以在溫度范圍(最高800°C)的范圍內使用。


袖珍的

除了電阻加熱元件外,散裝的RF電極還可以整體燒結到陶瓷中。

您也可以將陶瓷軸直接粘合到陶瓷板上。


耐腐蝕性

它還在鹵素氣體和氧化氣氛中表現出的耐用性。

與晶圓吸附兼容

陶瓷板中的RF電極可用作靜電Chuck電極,用于晶片吸附。

功能

晶圓溫度分析
晶圓溫度分析(φ300加熱器)
示例:600°C溫度范圍<±0.1%

規格

尺寸與200mm,300mm和450mm晶片兼容
電源100-200V x 15-50a
電極材料將Ni Rod(電纜)連接到端子(低接頭,螺釘固定)
加熱器材料Aln

Aln的材料特性

[典型價值]


氮化鋁
HA-12HA-37/38HA-50/51
純度[%]959999
密度[g/cc]3.33.33.3
音量電阻率[ωCM](RT)> 1E+151E+8?+13> 1E+15
導熱率[W/MK](RT)17010080
熱擴展系統的數量(RT)5.7(1000℃)5.6(1000℃)5.6(1000℃)
力量[MPA](RT)> 300> 300> 250
年輕的速度[GPA](RT)300300300
介電常數(13.56MHz,RT)8.68.88.6

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