標(biāo)準(zhǔn)型可選配導(dǎo)電超薄膜形成機(jī)構(gòu)。
此外，它可以作為選項(xiàng)安裝在您已經(jīng)使用的設(shè)備（兼容型號(hào)）上。
僅低電流法、僅混合氣體法、低電流法+混合氣體法均可作為選項(xiàng)安裝。
導(dǎo)電超薄膜機(jī)構(gòu)（混合氣體法）和親水處理機(jī)構(gòu)不能同時(shí)安裝。
此外，主機(jī)的外部尺寸和重量將根據(jù)安裝的選件而變化。

此外，關(guān)于這種導(dǎo)電超薄膜機(jī)制，我們已經(jīng)獲得了使用鋨等離子體鍍膜機(jī)的成膜方法的。
名稱：導(dǎo)電超薄膜機(jī)構(gòu)（低電流法）
號(hào)：第5419723號(hào)
發(fā)明名稱：導(dǎo)電薄膜的等離子體沉積方法

[抑制影響超薄膜厚度再現(xiàn)性的浪涌電流的影響]

放電開始時(shí)，會(huì)產(chǎn)生超過穩(wěn)定電流的大量浪涌電流。這種浪涌電流的發(fā)生很難預(yù)測(cè)，而最大限度地避免這些影響是提高3.0 nm以下超薄膜厚度再現(xiàn)性的關(guān)鍵。

Philgen的導(dǎo)電超薄膜沉積機(jī)制
從沒有電流流動(dòng)的真空狀態(tài)施加放電電壓，逐漸增加OsO4氣體的量，并在監(jiān)控放電電流的同時(shí)控制放電時(shí)間，以減少浪涌電流的影響，從而實(shí)現(xiàn)了最小化。超薄膜的膜厚再現(xiàn)性高。

（標(biāo)準(zhǔn)型與導(dǎo)電性超薄膜形成機(jī)理的比較）

-	標(biāo)準(zhǔn)型	導(dǎo)電超薄膜形成機(jī)理
最小膜厚設(shè)定值	1納米	0.1納米
按下啟動(dòng)開關(guān)后的流程	OsO4氣體介紹	從沒有放電電流流過的真空狀態(tài)施加電壓
	氣體導(dǎo)入量控制	逐漸增加OsO4氣體的量
	放電開始	放電電流根據(jù)氣體量逐漸增加。
	出院結(jié)束	出院結(jié)束

“低電流法+混合氣體法”與“低電流法”安裝方式比較

OPC80T-LM
（低電流法+混合氣體法）

OPC80T-L
（低電流法）

該類型在傳統(tǒng)鋨等離子體鍍膜機(jī)（OPC80T）的基礎(chǔ)上增加了低電流法/混合氣體法
。可以以良好的再現(xiàn)性形成約0.5至3nm的超薄鋨膜。
您也可以使用標(biāo)準(zhǔn)類型的膜。點(diǎn)擊此處查看

超薄鋨膜-等離子體聚合膜的截面TEM圖像

該類型在傳統(tǒng)鋨等離子體鍍膜機(jī) (OPC80T) 的基礎(chǔ)上增加了低電流方法
。可以以良好的再現(xiàn)性形成約0.5至3nm的超薄鋨膜。
您也可以使用標(biāo)準(zhǔn)類型的膜。點(diǎn)擊此處查看

超薄鋨膜-等離子體聚合膜的截面TEM圖像

低電流法和混合氣體法

●低電流法	該方法從OsO4氣體濃度低至足以防止輝光放電開始的高真空狀態(tài)施加電壓，并以低放電電流形成膜。這通過防止在放電初始階段流過大電流來提高再現(xiàn)性。
●混合氣體法	通過在OsO 4 氣體中混入惰性氣體，OsO 4 氣體濃度降低，成膜速度降低，控制變得容易。由于可以僅使用惰性氣體進(jìn)行放電，因此可以擴(kuò)展到蝕刻等。

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filgen鋨等離子體鍍膜機(jī)的導(dǎo)電超薄膜形成機(jī)理

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