深圳佳名興電容有限公司
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經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家
商鋪產(chǎn)品：486條
所在地區(qū)：廣東深圳市
聯(lián)系人：秦小姐 （部門(mén)經(jīng)理）
詳細(xì)摘要： RWF電容器用途：主要應(yīng)用于感應(yīng)中熱系統(tǒng)中作提高功率因數(shù)或改善回路特性
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詳細(xì)摘要： BSMJ圓柱形自愈式低壓并聯(lián)電容器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)參數(shù)：①.采用防爆圓柱形鋁罐封裝
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詳細(xì)摘要： 分相補(bǔ)償并聯(lián)電力電容器參數(shù)：型號(hào)：BSMJ0
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詳細(xì)摘要： JKMJ型均壓阻尼電容器產(chǎn)品特點(diǎn)與用途該電容器為油浸箔式電容器，采用圓柱形鋁外殼設(shè)計(jì)，該電容器用于(SVC)高壓直流輸電設(shè)備變流器靜補(bǔ)裝置及大功率傳動(dòng)裝置的換流...
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詳細(xì)摘要： 電網(wǎng)相關(guān)行業(yè)使用BSMJ自愈式低壓并聯(lián)電容器
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詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品規(guī)格：品牌：JMX/佳名興型號(hào)：BFM介質(zhì)材料：全膜介質(zhì)應(yīng)用范圍：電力電網(wǎng)溫度：-25℃~+45℃功率特性：大功率頻率特性：50HZ調(diào)節(jié)方式：固定引出方式：...
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詳細(xì)摘要： BSMJ用于改善電壓1KV以下、頻率60HZ以下的交流電力系統(tǒng)的功率因數(shù)電容器其中B代表的是：并聯(lián)電容器K：浸漬劑代號(hào)（K為真空灌注；S代表微晶蠟；C；代表硅油...
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詳細(xì)摘要： 充磁機(jī)電容也稱(chēng)為儲(chǔ)能脈沖直流濾波電容，因?yàn)閼?yīng)用在充磁機(jī)跟退磁機(jī)上的電容器，是制造充磁機(jī)的主要材料，充磁機(jī)電容主要選配薄膜跟電解的材質(zhì)的電容，采用不同的電容原型生...
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詳細(xì)摘要： IGBT吸收電容器產(chǎn)品特點(diǎn)：①緩沖電容器的CRE系列IGBT緩沖電容器符合ROHS和REACH標(biāo)準(zhǔn)
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詳細(xì)摘要： 【BSMJ電力電容器基本介紹】三相自愈式低壓并聯(lián)電力電容器，應(yīng)用于耐壓1000V以下環(huán)境，用于提高功率因數(shù)，減少無(wú)功損耗，改善電壓質(zhì)量：廣泛應(yīng)用于工商農(nóng)民各個(gè)電...
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詳細(xì)摘要： 一.本產(chǎn)物實(shí)用于：電力、冶金、礦山、化工等部分的輸配電體系做操縱電路用，進(jìn)步功率要素.重要用于前進(jìn)工頻電力體系的進(jìn)步功率果數(shù)，抵償電力體系理性背載的無(wú)功功率，改...
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詳細(xì)摘要： BSMJ低壓自愈式并聯(lián)電力電容器采用進(jìn)口聚丙烯薄膜，產(chǎn)品體積更小，質(zhì)量更可靠
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詳細(xì)摘要： 流濾波電容產(chǎn)品特點(diǎn)電介質(zhì)：聚丙烯薄膜結(jié)構(gòu)：金屬化膜干式結(jié)構(gòu)封裝：金屬外殼，阻燃（UL94V-0級(jí)）環(huán)氧封裝引出：鍍錫銅片引出高電流，大容量低自感，低損耗具有自愈...
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詳細(xì)摘要： JMX智能電容器以通過(guò)電力電容器研究所實(shí)驗(yàn)測(cè)試
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詳細(xì)摘要： DC-LINK直流直撐電容：DC-LINK直流直撐電容，屬于無(wú)源器件的一種,DC-LINK直流直撐電容，現(xiàn)主要采用聚丙烯薄膜介質(zhì)直流支撐電容器，DC-LINK直...
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詳細(xì)摘要： BSMJ特點(diǎn)：小體積，大涌流，適應(yīng)更高的環(huán)境溫度，溫升更小，發(fā)熱少
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詳細(xì)摘要： DC-LINK直流直撐電容：DC-LINK直流直撐電容，屬于無(wú)源器件的一種,DC-LINK直流直撐電容，現(xiàn)主要采用聚丙烯薄膜介質(zhì)直流支撐電容器，DC-LINK直...
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詳細(xì)摘要： DC-LINK直流直撐電容：DC-LINK直流直撐電容，屬于無(wú)源器件的一種,DC-LINK直流直撐電容，現(xiàn)主要采用聚丙烯薄膜介質(zhì)直流支撐電容器，DC-LINK直...
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詳細(xì)摘要： BSMJ特點(diǎn)：小體積，大涌流，適應(yīng)更高的環(huán)境溫度，溫升更小，發(fā)熱少
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詳細(xì)摘要： 主要技術(shù)性能●電容偏差:10%，各相等分組電容的大值與小值之比不大于1.1.●介質(zhì)損耗角正切值tan(全膜介質(zhì))在額定電壓Un，20℃時(shí)：A.Un1kV:tan...
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