一、MB芯片
定義：MetalBONding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的產品。
特點：
1：采用高散熱系數的材料---Si作為襯底、散熱容易。
2：通過金屬層來接合(waferbonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。
3:導電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4倍)，更適應于高驅動電流領域。
4:底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱
5:尺寸可加大、應用于Highpower領域、eg:42milMB
二、GB芯片
定義：GlueBonding(粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC的產品
特點：
1：透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統AS(AbsorbableSTructure)芯片的2倍以上、藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
2：芯片四面發光、具有出色的Pattern
3：亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(8.6mil)
4：雙電極結構、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片
三、TS芯片
定義：transparentstructure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP的產品。
特點：
1：芯片工藝制作復雜、遠高于ASLED
2：信賴性
3：透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高
4：應用廣泛
四、AS芯片
定義：Absorbablestructure(吸收襯底)芯片;
經過近四十年的發展努力、中國臺灣發光二級管光電業界對于該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水準、差距不大。
大陸芯片制造業起步較晚、其亮度及可靠度與中國臺灣業界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等
特點：
1：四元芯片、采用MOVPE工藝制備、亮度相對于常規芯片要亮
2：信賴性優良
3：應用廣泛
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