大量安規過認證電容2220 X2 AC250V DC2.5KV 10NF專業抑制EMI傳導干擾電容
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孫
GA355QR7GB103KW01L 2220 X2 AC250V DC2.5KV 10NF
GA355DR7GB223KW01L 2220 X2 AC250V DC2.5KV 103K
GA355ER7GB473KW01L 2220 X2 AC250V DC2.5KV 473K
大量安規過認證電容2220 X2 AC250V DC2.5KV 10NF專業抑制EMI傳導干擾電容
■特點
1. 交流線路用片狀獨石陶瓷電容器。
2. 新型獨石結構，體積小、靜電容量高，能在高電壓下工作。
3. 鍍錫外部電極實現了良好的可焊性。
4. 僅適用回流焊接。
5. 靜電容量0.01至0.1μF于連接線路，而470至4700pF用于將
線路接地。
切換式電源、、傳真機、調制解調器的噪聲抑制濾波器用。
GA242QR7E2471MW01L 1808 AC250 X7R 470pF ±20%
GA242QR7E2102MW01L 1808 AC250 X7R 1000pF ±20%
GA243QR7E2222MW01L 1812 AC250 X7R 2200pF ±20%
GA243QR7E2332MW01L 1812 AC250 X7R 3300pF ±20%
GA243DR7E2472MW01L 1812 AC250 X7R 4700pF ±20%
GA243QR7E2103MW01L 1812 AC250 X7R 10000pF ±20%
GA243QR7E2223MW01L 1812 AC250 X7R 22000pF ±20%
GA243DR7E2473MW01L1812 AC250 X7R 47000pF ±20%
GA255DR7E2104MW01L 2220 AC250 X7R 0.10μF ±20%
GA355DR7GC101KY02L 2220 AC250 X1/Y2 X7R 100PF ±10%
GA355DR7GC151KY02L 2220 AC250 X1/Y2 X7R 150 PF ±10%
GA355DR7GC221KY02L 2220 AC250 X1/Y2X7R 220 PF ±10%
GA355DR7GC331KY02L 2220 AC250 X1/Y2X7R 330 PF ±10%
大量安規過認證電容2220 X2 AC250V DC2.5KV 10NF專業抑制EMI傳導干擾電容
1.利用貼片陶瓷電容器介質層的薄層化和多層疊層技術，使電容值大為擴大
2.單片結構保證有的機械性強度及可靠性
3.*的精確度，在進行自動裝配時有高度的準確性
4.因僅有陶瓷和金屬構成，故即便在高溫，低溫環境下亦無漸衰的現象出現，具有較強可靠性與穩定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設計
6.殘留誘導系數小，確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領域也獲得了電容，故使用壽命延長，更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低，頻率特性良好，故于高頻，高密度類型的電源
工作溫度范圍: -55～125℃
額定電壓: 100VDC～3000VDC
溫度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范圍: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
損失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
絕緣電阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取兩者zui小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一個decade時間
介質電耐電壓： 100V ≤ V ＜500V :200%
額定電壓 500V ≤ V ＜1000V :150%額定電壓 1000v≤ V :120%額定電壓
介質耐電壓：100V-1000V范圍內，可承受1.5倍額定電壓。1000V以上：可承受1.2倍額定電壓。
電壓越高，所能做出的容量越低，生產周期4－6周
(CCT) 宸遠科技 陶瓷貼片電容規格：
英制：0805 1206 1210 1808 1812 1825 2220 2225 2211（上下英公規格相對應）
公制：2012 3216 3225 4520 4532 4563 5750 5763 5728（上下英公規格相對應）
低壓：6.3V、10V、16V、25V、35V、 45V、 50V、63V、
中壓：100V、 150V、 200V、 250V、400V、450V、500V、630V
高壓：1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV
容值：1PF（皮法）—220UF（微法）
材質：NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V
精度：±5%（J檔）±10%（K檔）±20%（M檔）
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