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技術(shù)文章

新型微差壓變送器特點

閱讀:425發(fā)布時間:2014-2-20

  隨著科技的發(fā)展,越發(fā)需要高精度計量微壓。為此,多方在作研究開發(fā),不同程度地初步取得一些進(jìn)展。
  
  下面?zhèn)戎亟榻B以長期積累的半導(dǎo)體壓力傳感器技術(shù)為基礎(chǔ),并利用硅單晶擴(kuò)散技術(shù)和硅微加工技術(shù),先行開發(fā)出0~98Pa、0—588.4Pa(0—10~0—60mmH:0)的半導(dǎo)體低壓傳感器,進(jìn)而采用此種半導(dǎo)體低壓傳感器,開發(fā)研制出一種新型微差壓變送器。從而實現(xiàn)了高精度檢測微壓的愿望。
  
  新型微差壓變送器的結(jié)構(gòu)不同一般,其主要特點就是采用了半導(dǎo)體微壓傳感器。
  
  1.半導(dǎo)體微壓傳感器
  
  用硅膜片式壓力傳感器檢測低壓時,為了獲得較大的輸出,硅膜片的厚度勢必要做得很薄。然而,膜片過薄,就會產(chǎn)生所謂氣球效應(yīng)的大撓曲現(xiàn)象,要獲得與壓力成正比的輸出便是個難題。為了解決這個難題而開發(fā)研制出一種硅膜片中心帶剛體的E型半導(dǎo)體壓力傳感器,可高精度檢測0~588.9Pa的低壓。
  
  近期又有新進(jìn)展,開發(fā)研制出一種可檢測0~98Pa、0~588.4Pa的半導(dǎo)體微壓傳感器。為通常使用的c型傳感器、中心帶剛體的E型傳感器及新近開發(fā)研制的EI型傳感器的構(gòu)造。這3種形式都是采用擴(kuò)散法在n型硅基片的表面形成P型應(yīng)變電阻。
  
  E型傳感器采用環(huán)狀元件,以減小施加壓力時產(chǎn)生的撓曲,并可提高低壓檢測精度,而Ⅱ型傳感器則由兩根應(yīng)變桿和極薄的膜片構(gòu)成。因此,外加壓力主要是用來使應(yīng)變桿彎曲,應(yīng)變桿能感應(yīng)微小的壓力。并且,將應(yīng)變電阻形成在與E型傳感器的彈性元件具有相同粗度的應(yīng)變桿上,可以獲得線性輸入一輸出特性。這種場合,采用細(xì)應(yīng)變桿和薄膜片,對提高特性較為有利。

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