PSPB10000 脈沖慢正電子束流是一種可精 確調制時間、能量和位置的正電子 束流，通過電磁線圈和電場的控制，可以實現對材料近表面和界面的結構形態進 行分層掃描，可以實現材料中微觀缺陷態的分層測量，從而對材料表面與界面進 行結構表征。

PSPB10000 產品結構

從放射源產生的正電子首先通過慢化體能量降低到熱能，然后通過聚束線圈 實現對位置的調控，通過斬波器實現對時間的調控，通過加速電極實現對能量的 調控。經過 PSPB10000 調制過的正電子可以停留在樣品的特定深度。

正電子能量與在材料中注入深度的關系

技術指標

1. 正電子源強度≧20mCi

2. 真空度≤10-5Pa；

3. 束斑直徑≤10mm；

4. 脈沖寬度≤250ps；

5. 正電子能量調節范圍：0.25-30keV；

6. 正電子能量最小調節步長≤0.01keV；

7. 單次放置樣品數目≥6 個；

8. 測量過程中可進行樣品切換；

9. 可進行正電子湮沒壽命測量；

10. 正電子壽命采集通道數≥2；

11. 可進行正電子單多普勒展寬測量；

12. 可進行正電子符合多普勒展寬測量；

13. 多普勒展寬峰谷比≥3.6×106；

14. 多普勒展寬探測器效率≥30%；

15. 多普勒展寬探測器能量分辨≤1.90keV@1.33MeV；

16. 多普勒展寬采集通道數≥2；

17. 使用計算機進行束流控制；

18. 具備可視化界面；

19. 可計算多普勒展寬譜 S/W 參數，可計算符合多普勒展寬和譜、差譜、商譜；

產品特色

l 表面界面測量：可以實現對材料表面和界面的微觀結構表征，通過連續 改變正電子入射能量進行測量可以得到從表面到內部的材料微觀結構變化 表征。

l 正電子科學平臺：正電子束流可以作為正電子科學平臺，通過搭配不同 的樣品環境與探測單元，實現對樣品多條件、多參數的測量表征。