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IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀

參考價	￥ 1
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號HUSTEC-160
所在地深圳市
廠商性質生產廠家
更新時間2025/3/4 10:44:05
訪問次數(shù)190

產品標簽:

IGBT測試儀 IGBT測試設備 igbt測試儀器 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀

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公司介紹主營產品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事儀器儀表代理的綜合性服務公司,于2010年在深圳注冊成立，目前已經成為國內較大的儀器經銷商，系統(tǒng)集成商和綜合服務商之一。
深圳市華科智源科技有限公司的客戶涉及工業(yè)電子制造、通信及信息技術、教育科研、微電子、新能源、生物醫(yī)藥、節(jié)能環(huán)保等行業(yè)和領域，通過與、Agilent、Lecroy、Tektronix、Yokogawa、Kikusui、DTV、NF、費思泰克Faith、牛津OXFORD、島津SHIMADZU等廠商的合作，為客戶提供產品增值銷售、應用系統(tǒng)集成、科技租賃、計量校準、維修維護等綜合服務。
深圳市華科智源科技有限公司，,主要研發(fā)生產的設備有SMT*檢測儀，ITC57300,半導體動態(tài)參數(shù)測試儀，ITC55100等測試產品及測試系統(tǒng)。
深圳市華科智源科技有限公司一貫堅持“可靠的產品，優(yōu)質的服務”的經營方針，結合市場變化和客戶要求，華科智源致力于同客戶建立*的合作伙伴關系，為客戶提供“需求分析、產品選型、人員培訓和售后服務”等一條龍完善服務，贏得了生產廠商和用戶的廣泛好評。

深圳市華科智源科技有限公司將秉持迅速、可靠、精準、專業(yè)的態(tài)度永續(xù)經營，以提供Z實時有效的服務為Z終目標。

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SMT首件檢測儀 SMT首件測試系統(tǒng) 智能首件檢測儀半導體參數(shù)測試儀

產品簡介在線詢價

產地	國產	設備尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）mm
質量	30kg	海拔高度	海拔不超過 1000m
儲存環(huán)境	-20℃～50℃	工作環(huán)境	15℃～40℃
相對濕度	20%RH ~ 85%RH	大氣壓力	86Kpa～ 106Kpa
防護	無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害	用電要求	AC220V，±10%
電網頻率	50Hz±1Hz

華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，測試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產器件傳輸曲線和轉移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于器件設計，封裝測試，軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀產品信息

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀

一：IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀主要特點

華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；

IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀測試參數(shù)：

ICES 集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。

二：IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀應用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場效應管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標準低阻值電阻

E：軌道交通，風力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

三、IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀特征：

A：測量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測量精度2mV

E：Vce測量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護被測量器件

H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I：MOS IGBT內部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；

序號	測試項目	描述	測量范圍	分辨率	精度
1	V_F	二極管正向導通壓降	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向導通電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
3	IF	二極管正向導通電流	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
4	Vces	集電極-發(fā)射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
6	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
7	Ices	集電極-發(fā)射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發(fā)射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發(fā)射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	柵極發(fā)射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV

華科智源IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀針對 IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng)；自動化程度高（按照操作人員設定的程序自動工作），計算機可以記錄測試結果，測試結果可轉化為文本格式存儲，測試方法靈活（可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試），安全穩(wěn)定（對設備的工作狀態(tài)進行全程實時監(jiān)控并與硬件進行互鎖），具有安全保護功能，測試速度方便快捷。